Az X-FAB izolációs osztályt ad hozzá a 180 nm-es XH018 platformhoz a továbbfejlesztett SPAD integráció érdekében.
Az X-FAB Silicon Foundries bemutatta a 180 nm-es XH018 félvezető eljárásán belüli új izolációs osztályt. A kompaktabb és hatékonyabb egyfoton lavinadióda (SPAD) implementációk támogatására tervezett új izolációs osztály szorosabb funkcionális integrációt, jobb pixelsűrűséget és magasabb kitöltési tényezőt tesz lehetővé – ami kisebb chipfelületet eredményez.
Az SPAD-ok kritikus fontosságú alkatrészek számos új alkalmazásban, beleértve az önvezető járművek lidarját, valamint a 3D képalkotást és mélységérzékelést az AR/VR rendszerekben.
A nagy felbontású SPAD-mátrixok létrehozásához elengedhetetlen a kompakt pitch és a megnövelt kitöltési tényező. Az új ISOMOS1, egy 25 V-os izolációs osztályú modul, jelentősen kompaktabb tranzisztor-leválasztási struktúrákat tesz lehetővé, kiküszöbölve egy további maszkréteg szükségességét, és tökéletesen illeszkedik az X-FAB többi SPAD-változatához.
Az X-FAB szerint a frissítés előnyei egyértelműek a SPAD pixel elrendezések összehasonlításakor. Egy tipikus 4 x 3 SPAD tömbben, 10 x 10 µm² optikai területtel, az új izolációs osztály bevezetése 25%-os területcsökkentést tesz lehetővé a teljes területen, és 30%-kal növeli a kitöltési tényezőt a korábban elérhető izolációs osztályhoz képest. Az optimalizált pixeltervezéssel az F-FAB szerint még nagyobb területhatékonyság és érzékelési érzékenység érhető el.
A fejlesztés célja, hogy olyan alkalmazásokhoz nyújtson előnyöket, amelyekben elengedhetetlen a nagy felbontású érzékelés kompakt méretben. Lehetővé teszi a pontos mélységérzékelést számos forgatókönyvben, beleértve az ipari távolságérzékelést és a robotikai érzékelést, például a robot körüli terület védelmével és az ütközések elkerülésével, amikor a robotok együtt dolgoznak. Az izolációs osztály célja az is, hogy lehetőségeket nyisson a SPAD-alapú rendszerek szélesebb körének, amelyek alacsony zajszintű, nagy sebességű, egyfotonos érzékelést igényelnek kompakt méretben.
Heming Wei, az X-FAB optoelektronikai műszaki marketingmenedzsere elmondta: „Az XH018-ban bevezetett új izolációs osztály fontos lépést jelent az SPAD integrációja felé. Lehetővé teszi a szigorúbb elrendezéseket és a jobb teljesítményt, miközben lehetővé teszi fejlettebb érzékelőrendszerek fejlesztését a bevált, megbízható 180 nm-es platformunk segítségével.”
